威海回收手机IC

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另外，SSR的性质还与接通时的电流上升率di/dt密切相关。di/dt超过某一值会使SSR的可控硅输出器件损坏。为避免上述浪涌电流对SSR的损坏，可不同程度的降额使用SSR，必要时，可在负载电路中串联电阻，将浪涌电流和可能发生的短路电流限制在SSR所允许的过负载范围内，也可利用快速熔断的丝来保护SSR。对于SSR，特别对交流SSR，电压指数上升率是一个重要参数。这是因为当SSR关断时，若输出端电压上升率超过SSR规定的dv/dt，可能使SSR误接通，严重时会造成SSR的损坏一般SSR规定的dv/dt为100v/us，也有的达200v/us。对地测量电阻值：所谓对地测量电阻值，即是用万用表红表笔接地，黑表笔接被测量的元件的其中一个点，测量该点在电路对地电阻值，与正常的电阻值进行比较来断定故障的范围。在测量时，电阻档位设置在R*1k档，当测得的点的电阻值与正常的比较相差较大的情况下，说明该部分电路存在故障，如滤波电空漏电，电阻开路或集成IC损坏等。晶体管的测量：把万用表的量程转换到欧姆档R*1或R*1K档来测量二极管。不能用R*1，R*1K档。